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BSS110中文资料

  • 大小：285.09KB
  • 厂家：SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
  • 描述：SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)
  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：50 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：0.17 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：10000 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-92-3
  • 下降时间：25 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：630 mW
  • 上升时间：25 ns
  • 典型关闭延迟时间：10 ns

BSS110供应商

更新时间:2023-01-01 09:54:08
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